Исследование модификации карбида кремния методами лучевой эрозии в условиях фазового состава атмосферы: обзор
https://doi.org/10.34680/2076-8052.2024.1(135).76-94
Аннотация
В рамках исследования выполнен обзор существующих технологий модификации карбида кремния для последующего применения при создании устройств в радиотехнике, телекоммуникационном оборудовании. Приведены основные преимущества карбида кремния ввиду его свойств, новые методы его обработки с учетом влияния фазового состава атмосферы, приведена физико-математическая модель лазерной размерной модификации кристаллов карбида кремния, приведена новая методика проведения процесса регенерации эрозионных следов лучевой природы в кристаллах карбида кремния в жидкой среде, а также разработаны практические рекомендации по реализации метода лазерной размерной модификации кристаллов карбида, отличающиеся структурно-техническими решениями в рамках автоматизированной технологии создания мезапланарного дизайна с элементами ограничения кондуктивных связей микросистем, основанными на реализации лучевой эрозии в газовой и жидкой среде, а также управляемого процесса регенерации эрозионных следов.
Ключевые слова
Об авторах
Д. А. Евстигнеев
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Евстигнеев Даниил Алексеевич – преподаватель,
Великий Новгород.
Н. П. Корнышев
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Корнышев Николай Петрович – доктор технических наук, доцент, профессор,
Великий Новгород.
Список литературы
1. Zheng Q., Mei X., Jiang G., Yan Z., Fan Z., Wang W., Pan A., Cui J. Influence of surface morphology and processing parameters on polishing of silicon carbide ceramics using femtosecond laser pulses // Surfaces and Interface. 2022. 36(1).102528. DOI: 10.1016/j.surfin.2022.102528
2. Карачинов В. А. Получение профилированных монокристаллов карбида кремния методом сублимации и электрической эрозии: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук. Санкт-Петербург, 2005. 32 с.
3. Шафеев Г. А., Серков А. А., Бармина Е. В. Патент № 2563324 Российская Федерация, МПК B82Y 40/00 (2011.01), H01L 33/34 (2010.01). Способ обработки поверхности карбида кремния с помощью ультрафиолетового лазерного излучения: № 2013148882/28: заявл. 01.11.2013: опубл. 20.09.2015 / заявитель Общество с ограниченной ответственностью «Энергомаштехника» (ООО «ЭТМ»).
4. Karachinov V. A., Evstigneev D. A., Karachinov D. A. Multifunctional anemometric microsystem based on silicon carbide // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2021. 1047. 12054. DOI: 10.1088/1757-899X/1047/1/012054
5. Агеев А. О., Беляев Е. А., Болтовец Н. С., Киселев В. С., Кондакова Р. В., Лебедева А. А., Миленин В. В., Охрименко О. Б., Поляков В. В., Светличный А. М., Черениченко Д. И. Карбид кремния: технология, свойства, применение / под общей редакцией А. Е. Беляева, Р. В. Конаковой. Харьков: ИСМА, 2010. 532 с.
6. Астапчик С. А., Голубев В. С., Маклаков А. Г. Лазерные технологии в машиностроении и металлообработке. Минск: Белорусская наука, 2008. 251 с.
7. Башта П. Лазерная резка методом LaserMicroJet // Электроника: Наука, технология, бизнес. 2010. 3(101). 32-35.
8. Ромашевский С. А. Особенности наноструктурирования поверхности кремния в результате ее сверхбыстрого нагрева фемтосекндным лазерным импульсом в воде // Письма в журнал технической физики. 2018. 44(14). 58-64. DOI: 10.21883/PJTF.2018.14.46345.17271
9. Карачинов В. А. Микроострийная шероховатость нарушенных слоев эрозионной природы в кристаллах карбида кремния // Кристаллография. 2004. 49(5). 899-904.
10. Евстигнеев Д. А., Карачинов В. А., Бондарев Д. А., Карачинов Д. В. Патент № 2648306 Российская Федерация, МПК G01P 5/10 (2006.01), G01K 13/02 (2006.01). Тепловая микросистема на полупроводниковой основе: № 2016145722: заявл. 22.11.2016: опубл. 23.03.2018 / заявители Федеральное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого», ОАО «ОКБ-Планета».
11. Карачинов В. А., Евстигнеев Д. А., Петров А. В., Ионов А. С., Желаннов А. В. Патент № 2 724 142 Российская Федерация, МПК H01L 21/302 (2006.01), B82Y 40/00 (2011.01). Способ модификации поверхности кристаллов карбида кремния: № 2020113237: заявл. 26.03.2020: опубл. 31.03.2021 / заявитель АО «ОКБ-Планета».
12. Evstigneev D. A., Karachinov V. A., Varshavskiy A. S., Manykhin V. A. Modeling the distribution of temperature field within the micro heat - loss anemometer based on silicon carbide // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 2018. 441. 012016. DOI: 10.1088/1757-899X/441/1/012016
Рецензия
Для цитирования:
Евстигнеев Д.А., Корнышев Н.П. Исследование модификации карбида кремния методами лучевой эрозии в условиях фазового состава атмосферы: обзор. Вестник Новгородского государственного университета. 2024;(1(135)):76-94. https://doi.org/10.34680/2076-8052.2024.1(135).76-94
For citation:
Evstigneev D.A., Kornyshev N.P. Study of the silicon carbide modification by radiation erosion methods in the context of the atmosphere phase composition: a review. Title in english. 2024;(1(135)):76-94. (In Russ.) https://doi.org/10.34680/2076-8052.2024.1(135).76-94
Просмотров:
30
Послать статью по эл. почте 