Для цитирования:
Гаврушко В.В., Григорьев А.Н., Сапожников А.А., Карачинов В.А., Быстров Н.Е., Петров В.М. Фотоприёмное устройство на основе гетероэпитаксиальной структуры GaSb/InGaAsSb. Вестник Новгородского государственного университета. 2023;(5(134)):639-646. https://doi.org/10.34680/2076-8052.2023.5(134).639-646
For citation:
Gavrushko V.V., Grigor'ev A.N., Sapozhnikov A.A., Karachinov V.A., Karachinov N.E., Petrov V.M. Photodeceptive device based on heteroepitaxial structure GaSb/InGaAsSb. Title in english. 2023;(5(134)):639-646. (In Russ.) https://doi.org/10.34680/2076-8052.2023.5(134).639-646
Послать статью по эл. почте 