vestnovsuВестник Новгородского государственного университетаVestnik of Novgorod State University2076-8052Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого10.34680/2076-8052.2023.5(134).639-646vestnovsu-256Research ArticleСтатьиФотоприёмное устройство на основе гетероэпитаксиальной структуры GaSb/InGaAsSbPhotodeceptive device based on heteroepitaxial structure GaSb/InGaAsSbhttps://orcid.org/0000-0002-8704-6751ГаврушкоВ. В.GavrushkoV. V.

Гаврушко Валерий Владимирович – доктор технических наук, профессор

 Великий Новгород 

 Veliky Novgorod 

Valery.Gavrushko@novsu.ruhttps://orcid.org/0000-0001-7073-8762ГригорьевА. Н.Grigor'evA. N.

Григорьев Александр Николаевич – заместитель генерального директора

 Великий Новгород 

Veliky Novgorod 

Andrey.Sochilin@novsu.ruhttps://orcid.org/0009-0008-0911-6583СапожниковА. А.SapozhnikovA. A.

Сапожников Александр Андреевич – кандидат технических наук, старший научный сотрудник

 Великий Новгород 

Veliky Novgorod 

aleksandr.sapozhnikov@novsu.ruhttps://orcid.org/0000-0001-9252-2233КарачиновВ. А.KarachinovV. A.

Карачинов Владимир Александрович – доктор технических наук, профессор, профессор, ведущий научный сотрудник 

 Великий Новгород 

Veliky Novgorod 

Vladimir.Karachinov@novsu.ruhttps://orcid.org/0009-0009-1998-8868БыстровН. Е.KarachinovN. E.

Быстров Николай Егорович – доктор технических наук, доцент, главный научный сотрудник, профессор

 Великий Новгород 

Veliky Novgorod 

Nikolay.Bystrov@novsu.ruhttps://orcid.org/0000-0002-7733-1030ПетровВ. М.PetrovV. M.

Петров Владимир Михайлович – доктор технических наук, профессор, профессор, главный научный сотрудник

 Великий Новгород 

Veliky Novgorod 

Vladimir.Petrov@novsu.ruНовгородский государственный университет имени Ярослава МудрогоРоссияYaroslav-the-Wise Novgorod State UniversityRussian FederationООО «Промышленные дроссели»РоссияIndustrial Throttles LLCRussian Federation20230502202405(134)639646Copyright © Гаврушко В.В., Григорьев А.Н., Сапожников А.А., Карачинов В.А., Быстров Н.Е., Петров В.М., 20242024Гаврушко В.В., Григорьев А.Н., Сапожников А.А., Карачинов В.А., Быстров Н.Е., Петров В.М.Gavrushko V.V., Grigor'ev A.N., Sapozhnikov A.A., Karachinov V.A., Karachinov N.E., Petrov V.M.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://vestnovsu.elpub.ru/jour/article/view/256

В статье приведены сведения о структуре неохлаждаемого фотоприемного устройства на основе соединения InGaAsSb, для спектрального диапазона 1,7...2,3 мкм. Приведены данные об интегральной чувствительности, спектральных, шумовых и пороговых характеристиках ФПУ в диапазоне температур (223-323 К). Обнаружительная способность при комнатной температуре достигала значений D*(λmax,1000.1)=9.4.1010 W-1.cm.Hz1/2. Динамический диапазон составил 64 дБ.

 The article provides information on the structure of an uncooled photodetector based on an InGaAsSb compound for the spectral range of 1.7...2.3 microns. The data on the integral sensitivity and also the spectral, noise, and threshold characteristics of the photodetector in the temperature range of 223-323 K are presented. The detectivity at room temperature reached the values D*(λmax,1000.1)=9.4.1010 W-1.cm.Hz1/2. The dynamic range was 64 dB. 

фотоприемникусилительспектральные характеристикичувствительностьобнаружительная способностьдинамический диапазонphotodetectoramplifierspectral characteristicssensitivitydetectivitydynamic rangeReferencesTournie E., Pitard E., Joullie A., Fourcade R. High temperature liquid phase epitaxy of (100) oriented GaInAsSb near the miscibility gap boundary // Journal Crystal Growth. 1990. 104(3). 683-694. DOI: 10.1016/0022-0248(90)90012-ATournie E., Pitard E., Joullie A., Fourcade R. High temperature liquid phase epitaxy of (100) oriented GaInAsSb near the miscibility gap boundary // Journal Crystal Growth. 1990. 104(3). 683-694. DOI: 10.1016/0022-0248(90)90012-AСтоянов Н. Д., Михайлова М. П., Андрейчук О. В., Моисеев К. Д., Андреев И. А., Афраилов М. А., Яковлев Ю. П. Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм // Физика и техника полупроводников. 2001. 35(4). 467-473.Stoyanov N. D., Mikhaǐlova M. P., Andreǐchuk O. V., Moiseev K. D., Andreev I. A., Afrailov M. A., Yakovlev Yu. P. Photodiodes for a 1.5-4.8 μM spectral range based on type-II GaSb/InGaAsSb heterostructures // Semiconductors. 2001. 35(4). 453-458.Карандашев С. А., Матвеев Б. А., Ременный М. А., Шленский А. А., Лунин Л. С., Ратушный В. И., Корюк А. В., Тараканова Н. Г. Свойства «иммерсионных» фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (lambda=1.8-2.3 мкм) в интервале температур 20-140oC // Физика и техника полупроводников. 2007. 41(11). 1389-1394.Karandashev S. A., Matveev B. A., Remennyi M. A., Shlenskii A. A., Lunin L. S., Ratushnyi V. I., Koryuk A. V., Tarakanova N. G. Properties of GaInAsSb/GaSb (λ = 1.8-2.3 μM) immersion lens photodiodes at 20-140°C // Semiconductors. 2007. 41(11). 1369-1374.Астахова А. П., Журтанов Б. Е., Именков А. Н., Михайлова М. П., Сиповская М. А., Стоянов Н. Д., Яковлев Ю. П. Длинноволновые фотодиоды на основе двойной гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb // Письма в журнал технической физики. 2007. 33(1). 23-29.Astakhova A. P., Zhurtanov B. E., Imenkov A. N., Mikhailova M. P., Sipovskaya M. A., Stoyanov N. D., Yakovlev Yu. P. Long-wavelength photodiodes based on n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb heterostructures // Technical Physics Letters. 2007. 33(1). 11-13.Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов / перевод с польского Н. И. Тюшкевича; под редакцией Б. Т. Коломийца. Москва: Советское Радио, 1970. 392 с.Ambroziak A. Konstrukcja i Technologia Przyrzadow Fotoelektrycznych. Wydawnictwo Naukowo-Techniczne, Warszawa, 1967. (Russ. ed.: Amboziak A. Konstruktsiia i tekhnologiia poluprovodnikovykh fotoelektricheskikh priborov [Design and technology for constructing photoelectric semiconductor devices]. Moscow, Sovetskoe Radio Publ., 1970. 392 p.)Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная электроника: учебное пособие. Москва: Физматкнига, 2012. 363 с.Filachev A. M., Taubkin I. I., Trishenkov M. A. Tverdotel'naia elektronika [Solid state electronics]. Moscow, Fizmatkniga Publ., 2012. 363 p.Хадсон Р. Инфракрасные системы / перевод с английского языка Б. Герчикова, Ю. Е. Голубчина, С. Г. Кинс; под редакцией Н. Н. Васильченко. Москва: Мир, 1972. 534 с.Hudson R. Infrared System Engineering. Wiley (Interscience), New York, 1969. 642 p. (Russ. ed.: Khadson R. Infrakrasnye sistemy. Moscow. Mir Publ., 1972. 534 p.)Андреев И. А., Ильинская Н. Д., Куницына Е. В., Михайлова М. П., Яковлев Ю. П. Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb / GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки // Физика и техника полупроводников. 2003. 37(8). 974 -979.Andreev I. A., Il'inskaya N. D., Kunitsyna E. V., Mikhaǐlova M. P., Yakovlev Yu. P. High-efficiency GaInAsSb / GaAlAsSb photodiodes for 0.9- to 2.55-μM spectral range with a large-diameter active area // Semiconductors. 2003. 37(8). 949-954.Гаврушко В. В., Сапожников А. А., Бондаренко Е. А., Раскин А. А. Авторское свидетельство № 1441894 СССР, МПК4F 01 K 25/10. Устройство для измерения предела линейности энергетической характеристики фотоприемника: опубл. 01.08.1988.Gavrushko V. V., Sapozhnikov A. A., Bondarenko E. A., Raskin A. A. Ustroistvo dlia izmereniia predela lineinosti energeticheskoi kharakteristiki fotopriemnika [Device for measuring the linear range of the radiant-power characteristic of a photodetector]. Authorship certificate USSR, no. 1441894, 1988.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.