Стенд для исследования температурной зависимости интегральной токовой чувствительности фотоприемников
https://doi.org/10.34680/2076-8052.2024.1(135).69-75
Аннотация
Приводится описание апробированного варианта стенда для исследования температурной зависимости интегральной токовой чувствительности фотоприемников. Был разработан оригинальный оптический термостат, с вертикальным ходом луча, что позволило исключить использование дополнительных оптических окон. Предлагаемая конструкция термостата позволяла производить измерения как в области низких, так и высоких температур. В качестве источника излучения использована модель АЧТ с температурой 800 К. В качестве датчика температуры был использован прямосмещённый эмиттерный переход германиевого транзистора. Ток смещения составлял 100 мкА. Приведены электрические схемы датчика и регистратора сигналов для фотодиода. Выполнена градуировка датчика температуры в диапазоне от 77 до 373 К.
Ключевые слова
Об авторах
В. В. Гаврушко
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Гаврушко Валерий Владимирович – доктор технических наук, профессор, профессор,
Великий Новгород.
А. Н. Григорьев
ООО «Промышленные дроссели»
Россия
Россия
Григорьев Александр Николаевич – заместитель генерального директора,
Великий Новгород.
О. Р. Кадриев
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Кадриев Олег Равильевич – ассистент,
Великий Новгород.
Список литературы
1. Амбозяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов / перевод с польского Н. И. Тюшкевича; под редакцией Б. Т. Коломийца. Москва: Советское Радио, 1970. 392 с.
2. ГОСТ 17772–88. СТ СЭВ 3789-82. Приёмники излучения и устройства приёмные полупроводниковые фотоэлектрические: методы измерения фотоэлектрических параметров и определение характеристик: издание официальное: утвержден и введен в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 29.06.88 № 2513: дата введения 01.07.89. Москва: Издательство стандартов, 1988. 65 с.
3. Григорьев А. Н., Сапожников А. А. Патент № 2486480 Российская Федерация МПК G01J1/02 (2006.01). Оптический криостат: № 2011149954/28: заявл. 12.07.2011: опубл. 27.06.2013 / заявитель «Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого».
4. Захаренко В. А., Шкаев А. Г. Патент № 2210099 Российская Федерация МПК G05D 23/30 (2006.01), G01J 5/08 (2006.01). Устройство термостатирования фотоприемника: № 2001116288/09: заявл. 13.06.2001: опубл. 10.08.2003 / заявитель Омский государственный технический университет.
5. Зеленов Г. Я. Измерение температуры p-n-переходом // Современная электроника. 2007. 2. 38-39.
6. Громов B. C., Шестимеров С. М., Увайсов С. Г. Высокоточный транзисторный датчик температуры // Датчики и системы. 2010. 11. 19-22.
7. Булкин П. С., Васильева О. Н, Киров С. А., Малова Т. И. Измерение температуры полупроводниковыми термометрами: лабораторный практикум по молекулярной физике: задача № 224. Москва: ООП Физ. факультета МГУ, 2012. 17 с.
Рецензия
Для цитирования:
Гаврушко В.В., Григорьев А.Н., Кадриев О.Р. Стенд для исследования температурной зависимости интегральной токовой чувствительности фотоприемников. Вестник Новгородского государственного университета. 2024;(1(135)):69-75. https://doi.org/10.34680/2076-8052.2024.1(135).69-75
For citation:
Gavrushko V.V., Grigoriev A.N., Kadriev O.R. Stand for studying the temperature dependence of the integral current sensitivity of photodetectors. Title in english. 2024;(1(135)):69-75. (In Russ.) https://doi.org/10.34680/2076-8052.2024.1(135).69-75
Просмотров:
18
Послать статью по эл. почте 