Фотоприёмное устройство на основе гетероэпитаксиальной структуры GaSb/InGaAsSb
https://doi.org/10.34680/2076-8052.2023.5(134).639-646
Аннотация
В статье приведены сведения о структуре неохлаждаемого фотоприемного устройства на основе соединения InGaAsSb, для спектрального диапазона 1,7...2,3 мкм. Приведены данные об интегральной чувствительности, спектральных, шумовых и пороговых характеристиках ФПУ в диапазоне температур (223-323 К). Обнаружительная способность при комнатной температуре достигала значений D*(λmax,1000.1)=9.4.1010 W-1.cm.Hz1/2. Динамический диапазон составил 64 дБ.
Об авторах
В. В. Гаврушко
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Гаврушко Валерий Владимирович – доктор технических наук, профессор
Великий Новгород
А. Н. Григорьев
ООО «Промышленные дроссели»
Россия
Россия
Григорьев Александр Николаевич – заместитель генерального директора
Великий Новгород
А. А. Сапожников
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Сапожников Александр Андреевич – кандидат технических наук, старший научный сотрудник
Великий Новгород
В. А. Карачинов
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Карачинов Владимир Александрович – доктор технических наук, профессор, профессор, ведущий научный сотрудник
Великий Новгород
Н. Е. Быстров
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Быстров Николай Егорович – доктор технических наук, доцент, главный научный сотрудник, профессор
Великий Новгород
В. М. Петров
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Петров Владимир Михайлович – доктор технических наук, профессор, профессор, главный научный сотрудник
Великий Новгород
Список литературы
1. Tournie E., Pitard E., Joullie A., Fourcade R. High temperature liquid phase epitaxy of (100) oriented GaInAsSb near the miscibility gap boundary // Journal Crystal Growth. 1990. 104(3). 683-694. DOI: 10.1016/0022-0248(90)90012-A
2. Стоянов Н. Д., Михайлова М. П., Андрейчук О. В., Моисеев К. Д., Андреев И. А., Афраилов М. А., Яковлев Ю. П. Фотодиоды на основе гетеропереходов II типа в системе GaSb/InGaAsSb для спектрального диапазона 1.5-4.8 мкм // Физика и техника полупроводников. 2001. 35(4). 467-473.
3. Карандашев С. А., Матвеев Б. А., Ременный М. А., Шленский А. А., Лунин Л. С., Ратушный В. И., Корюк А. В., Тараканова Н. Г. Свойства «иммерсионных» фотодиодов на основе GaInAsSb/GaSb (lambda=1.8-2.3 мкм) в интервале температур 20-140oC // Физика и техника полупроводников. 2007. 41(11). 1389-1394.
4. Астахова А. П., Журтанов Б. Е., Именков А. Н., Михайлова М. П., Сиповская М. А., Стоянов Н. Д., Яковлев Ю. П. Длинноволновые фотодиоды на основе двойной гетероструктуры n-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb // Письма в журнал технической физики. 2007. 33(1). 23-29.
5. Амброзяк А. Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов / перевод с польского Н. И. Тюшкевича; под редакцией Б. Т. Коломийца. Москва: Советское Радио, 1970. 392 с.
6. Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. Твердотельная электроника: учебное пособие. Москва: Физматкнига, 2012. 363 с.
7. Хадсон Р. Инфракрасные системы / перевод с английского языка Б. Герчикова, Ю. Е. Голубчина, С. Г. Кинс; под редакцией Н. Н. Васильченко. Москва: Мир, 1972. 534 с.
8. Андреев И. А., Ильинская Н. Д., Куницына Е. В., Михайлова М. П., Яковлев Ю. П. Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb / GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки // Физика и техника полупроводников. 2003. 37(8). 974 -979.
9. Гаврушко В. В., Сапожников А. А., Бондаренко Е. А., Раскин А. А. Авторское свидетельство № 1441894 СССР, МПК4F 01 K 25/10. Устройство для измерения предела линейности энергетической характеристики фотоприемника: опубл. 01.08.1988.
Рецензия
Для цитирования:
Гаврушко В.В., Григорьев А.Н., Сапожников А.А., Карачинов В.А., Быстров Н.Е., Петров В.М. Фотоприёмное устройство на основе гетероэпитаксиальной структуры GaSb/InGaAsSb. Вестник Новгородского государственного университета. 2023;(5(134)):639-646. https://doi.org/10.34680/2076-8052.2023.5(134).639-646
For citation:
Gavrushko V.V., Grigor'ev A.N., Sapozhnikov A.A., Karachinov V.A., Karachinov N.E., Petrov V.M. Photodeceptive device based on heteroepitaxial structure GaSb/InGaAsSb. Title in english. 2023;(5(134)):639-646. (In Russ.) https://doi.org/10.34680/2076-8052.2023.5(134).639-646
Просмотров:
43
Послать статью по эл. почте 