Preview

Вестник Новгородского государственного университета

Расширенный поиск

Криогенный фотоприемник с изменяемой спектральной характеристикой

https://doi.org/10.34680/2076-8052.2022.3(128).75-77

Аннотация

Приводится описание конструкции фотоприемника, содержащего два встречно включенных фотодиода. Один из них расположен на освещаемой, а второй — на тыльной стороне кристалла. В цепи первого фотодиода предложено использовать подключаемое дополнительное внешнее сопротивление. При отключенном сопротивлении фотоприемник обладал широкополосной спектральной характеристикой. Подключение внешнего сопротивления изменяло широкополосную характеристику на селективную. Подавление сигнала в коротковолновой области происходило за счет его компенсации встречно включенным напряжением, на объемном сопротивлении базовой области. На примере криогенного InSb фотоприемника показана высокая эффективность подавления коротковолнового излучения. В селективном режиме работы при замкнутом ключе наблюдалось ослабление коротковолнового сигнала почти в 103 раз по сравнению с широкополосным режимом при разомкнутом ключе.

Об авторах

Е. А. Ариас
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия


В. В. Гаврушко
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия


Список литературы

1. Гусев О.К., Тявловский К.Л., Воробей Р.И. и др. Фотоприемники на основе собственных полупроводников для построения измерительных преобразователей // Метрология и приборостроение. 2017. №2. С.32–40.

2. Медведев А., Гринкевич А., Князева С. Мультиспектральные системы различного назначения // Фотоника. 2015. № 5(53). С.68–81.

3. Дмитриев Е. Динамическая перестройка спектральной чувствительности фотоприемных устройств // 2007. Фотоника. № 2. С.24–27.

4. А. с. №383125 СССР, МКИ5 H01L 31/0224. Полупроводниковый фоточувствительный прибор / А.А.Гуткин, М.В.Дмитриев, Д.Н.Наследов. Заявл. 22.03.1971. Опубл. 23. 05.1973. 3 с.

5. Исмайлов Н.Д. Фотоприемник с управляемой напряжением спектральной характеристикой фоточувствительности на основе CdxHg1−xTe // Физика и техника полупроводников. 2009. Т.43. №3 С.396–398.


Рецензия

Для цитирования:


Ариас Е.А., Гаврушко В.В. Криогенный фотоприемник с изменяемой спектральной характеристикой. Вестник Новгородского государственного университета. 2022;(3(128)):75-77. https://doi.org/10.34680/2076-8052.2022.3(128).75-77

For citation:


Arias E.A., Gavrushko V.V. Cryogenic photodetector with variable spectral characteristics. Title in english. 2022;(3(128)):75-77. (In Russ.) https://doi.org/10.34680/2076-8052.2022.3(128).75-77

Просмотров: 46


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 License.


ISSN 2076-8052 (Print)