Применение ионной имплантации аргона для формирования межприборной изоляции в AlGaN/AlN/GaN HEMT-структурах
https://doi.org/10.34680/2076-8052.2021.4(125).60-63
Аннотация
Рассматривается технологический цикл формирования межприборной изоляции на гетероэпитаксиальной структуре AlGaN/AlN/GaN, выращенной на подложке кремния с применением технологии ионной имплантации и травления мезы. Проведен расчет профиля Ar++ в гетероэпитаксиальной структуре AlGaN/AlN/GaN, а также с помощью программы TRIM получено распределение дефектов в гетероэпитаксиальной структуре. Представлено распределение аргона в гетероэпитаксиальных слоях AlGaN/AlN/GaN после проведения ионной имплантации. Было определено, что для обеспечения надежной изоляции ионной имплантацией необходимо использовать дважды ионизированный аргон с энергией 125 кэВ. Проведены измерения сопротивления межприборной изоляции, сформированной методом ионной имплантации и травлением мезы. Получена зависимость сопротивления межприборной изоляции от дозы внедренной примеси аргона. Показана перспективность использования технологии ионной имплантации для создания межприборной изоляции на AlGaN/AlN/GaN.
Об авторах
Д. Г. Федоров
ОАО «ОКБ-Планета»
Россия
Россия
Великий Новгород
Г. М. Боченков
ОАО «ОКБ-Планета»;
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Великий Новгород
А. В. Желаннов
ОАО «ОКБ-Планета»
Россия
Россия
Великий Новгород
Б. И. Селезнев
Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого
Россия
Россия
Великий Новгород
Список литературы
1. Chiu H., Chen C., Kao H. et al. Sidewall defects of AlGaN/GaN HEMTs evaluated by low frequency noise analysis // Microelectronics Reliability. 2013. Vol.53(12). Р.1897-1900. DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2013.06.015
2. Werquin M., Vellas N., Guhel Y. et al. First results of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate using an argon-ion implant isolation technology // Microw. Opt. Technol. Lett. 2005. Vol.46(4). P.311-315. DOI: https://doi.org/10.1002/mop.20974
3. Kasai H., Ogawa H., Nishimura T. et al. Nitrogen ion implantation isolation technology for normally-off GaN MISFETs on p-GaN substrate // Phys. Status Solidi C. 2014. Vol.11 (3-4). P.914-917. DOI: https://doi.org/10.1002/pssc.201300436
4. Taube A., Kaminska E., Kozubal M. et al. Ion implantation for isolation of AlGaN/GaN HEMTs using C or Al // Phys. Status Solidi A. 2015. Vol.212 (5). P.1162-1169.
5. Niketa S., Sandeep K. D., Nidhi C. Refined isolation techniques for GaN-based high electron mobility transistors // Materials science in semiconductor processing. 2018. Vol.87. P.195-201. DOI: https://doi.org/10.1016/j.mssp.2018.05.015
6. Желаннов А.В., Ионов А.С., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Омические контакты к приборным структурам на основе нитрида галлия // Физика и техника полупроводников. 2020. Т.54. №3. С.246-250. DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.03.49028.9224
7. Interactions of ions with matter [Электр. ресурс]. Режим доступа: http://srim.org/ (дата обращения: 12.10.2021).
Рецензия
Для цитирования:
Федоров Д.Г., Боченков Г.М., Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Применение ионной имплантации аргона для формирования межприборной изоляции в AlGaN/AlN/GaN HEMT-структурах. Вестник Новгородского государственного университета. 2021;(4(125)):60-63. https://doi.org/10.34680/2076-8052.2021.4(125).60-63
For citation:
Fedorov D.G., Bochenkov G.M., Zhelannov A.V., Seleznev B.I. Application of ionic implantation of argon for forming inter-device insulation in AlGaN/AlN/GaN HEMT-structures. Title in english. 2021;(4(125)):60-63. (In Russ.) https://doi.org/10.34680/2076-8052.2021.4(125).60-63
Просмотров:
52
Послать статью по эл. почте 