Синтез компактной модели интегрального резистора

Аннотация

Рассмотрена методика формирования компактной (SPICE) модели интегрального резистора, изготовленного с помощью биполярной технологии на базовом слое транзистора. В отличие от дискретного аналога интегральный резистор характеризуется большим числом параметров, что связано с нелинейной температурной зависимостью его номинала и наличием паразитных элементов в виде барьерной емкости. Процесс формирования макромодели интегрального резистора предполагает экстракцию пяти параметров: линейного и квадратичного температурных коэффициентов и трех параметров, необходимых для описания барьерной емкости. На базе полученной модели выполнен расчет температурной и амплитудно- частотной характеристик интегрального резистора. Предложенная процедура синтеза модели интегрального резистора может быть использована для формирования макромоделей других типов интегральных резисторов: низкоомных, выполненных на эмиттерном слое, и высокоомных — пинч-резисторов.