Евстигнеев Даниил Алексеевич – преподаватель,
Великий Новгород.
Veliky Novgorod.
Корнышев Николай Петрович – доктор технических наук, доцент, профессор,
Великий Новгород.
Veliky Novgorod.
В рамках исследования выполнен обзор существующих технологий модификации карбида кремния для последующего применения при создании устройств в радиотехнике, телекоммуникационном оборудовании. Приведены основные преимущества карбида кремния ввиду его свойств, новые методы его обработки с учетом влияния фазового состава атмосферы, приведена физико-математическая модель лазерной размерной модификации кристаллов карбида кремния, приведена новая методика проведения процесса регенерации эрозионных следов лучевой природы в кристаллах карбида кремния в жидкой среде, а также разработаны практические рекомендации по реализации метода лазерной размерной модификации кристаллов карбида, отличающиеся структурно-техническими решениями в рамках автоматизированной технологии создания мезапланарного дизайна с элементами ограничения кондуктивных связей микросистем, основанными на реализации лучевой эрозии в газовой и жидкой среде, а также управляемого процесса регенерации эрозионных следов.
As part of the study, a review of existing technologies for modifying silicon carbide for subsequent use when creating devices in radio engineering and telecommunications equipment was carried out. The main advantages of silicon carbide due to its properties, new methods of its processing taking the influence of the atmosphere phase composition into account are given, a physical and mathematical model of laser dimensional modification of silicon carbide crystals is given, a new technique for carrying out the regeneration process of erosion traces of radiation nature in silicon carbide crystals in a liquid medium is given, and also practical recommendations have been developed for the implementation of the method of laser dimensional modification of carbide crystals, distinguished by structural and technical solutions within the framework of automated technology for creating a mesa-planar design with elements of limiting the conductive connections of microsystems, based on the radiation erosion implementation in a gas and liquid environment, as well as a controlled regeneration process of erosion traces.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.