Нелюбин Илья Вадимович – аспирант Национального исследовательского университета «МИЭТ»,
Зеленоград;
инженер участка контроля ООО «НМ-Тех»,
Зеленоград.
Nelyubin I. V.,
Zelenograd.
Волоховский Александр Дмитриевич – кандидат технических наук, начальник участка контроля,
Зеленоград.
Volokhovsky A. D.,
Zelenograd
Путря Михаил Георгиевич – доктор технических наук, профессор,
Зеленоград.
Putrya M. G.,
Zelenograd.
В современной микроэлектронной технологии методы контроля процессов фотолитографии имеют особое значение. В технологических процессах с проектными нормами 130 нм и менее фоторезистивные маски нередко приобретают трёхмерную форму. Традиционно применяемый метод контроля критических размеров, растровая электронная микроскопия, не всегда удовлетворяет требованиям прецизионности для контроля подобных структур вследствие разрушения ArF-фоторезиста под воздействием электронного потока. Кроме того, контроль процессов формирования элементов фоторезистивной маски должен подразумевать измерения параметров их полного трёхмерного профиля (латеральные и вертикальные размеры, угол наклона боковых стенок и т.д.). В данной работе, в качестве инструмента контроля геометрических параметров элементов фоторезистивной маски, рассматривается метод оптической скаттерометрии. Представлен сравнительный анализ результатов измерений критических размеров с результатами, полученными с помощью растровой электронной микроскопии. Показана возможность применения оптической скаттерометрии для контроля процессов фотолитографии в непрерывном производственном цикле.
The methods of photolithography process control are of particular importance in modern microelectronics. In technological processes with design rules of 130 nm or less, photoresist masks often become three-dimensional. The traditionally used method for controlling critical dimensions, that is scanning electron microscopy, does not always meet the precision requirements for monitoring such structures due to the shrinkage effect of ArF-resist. Moreover, the control of the processes of manufacturing photoresist mask elements should imply measurements of its full profile (lateral and vertical sizes, sidewall angle, etc.). In this paper, the method of optical scatterometry is considered as a tool for controlling the geometric parameters of a periodic photoresist mask. A comparative analysis of the critical size measurement results obtained by scatterometry and scanning electron microscopy is presented. The potential for application of optical scatterometry for photolithography process in-line control was assessed.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.